Name: 970 EVO Plus NVMe M.2 SSD 2ТБ
Brand: Samsung
SKU: MZ-V7S2T0BW
Rating: 4.8 (20 reviews)

Дополните ваше устройство

970 EVO Plus NVMe M.2 SSD 2ТБ

MZ-V7S2T0BW

+3 больше

970 EVO Plus NVMe M.2 SSD 2ТБ

Dimension

Spin the angle

Выберите

Цвет : black

970 EVO Plus NVMe M.2 SSD 2ТБ

black

Нет в наличии

Особенности

Революционный SSD накопитель

Запредельная производительность обновленного накопителя. Более быстрый по сравнению с накопителем предыдущей серии 970 EVO, накопитель 970 EVO Plus использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Этот SSD накопитель максимально использует технологию NVMe, благодаря чему обеспечивается непревзойденная производительность. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.

*1ГБ = 1 000 000 000 байт IDEMA. Некоторая часть памяти может быть использована системными файлами и файлами, используемыми для технической поддержки накопителя, благодаря чему фактическая память может несколько отличаться от указанной на этикетке.

Поднимите уровень производительности

Накопитель 970 EVO Plus обеспечивает скорость последовательного чтения/записи до 3500/3300 MБ/с соответственно, что почти на 53% выше скорости модулей серии 970 EVO. Новейшая технология V-NAND по сравнению с технологией NAND отличается более высокими скоростными характеристиками и меньшем энергопотреблении. Это обеспечивается оптимизацией прошивки, использованием проверенного контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии Intelligent TurboWrite.

* Производительность может зависеть от версии прошивки SSD, типа аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Измерения производительности осуществлялись с использованием программы IOmeter 1.1.0. Параметры скорости записи осуществлялись при активированной технологии записи ntelligent TurboWrite. Значения скорости последовательной записи за пределами буфера, обслуживаемого технологией записи TurboWrite, составили: 400 MБ/с (для 250ГБ модели), 900 MБ/сек (для 500 ГБ модели), 1200 MБ/сек (для 1 ТБ модели) 1250 MБ/сек (для 2 ТБ модели).
* Для тестирования использовалась следующая системная конфигурация: Процессор Intel Core i7-7700K , 4.2 ГГц, DDR4 2400 МГц/32 ГБ, OS-Windows 10 Built 10240, чипсет – ASUS PRIME Z270-A.
*Увеличение скорости случайной записи достигало 53% для модуля емкостью 250 ГБ

Гибкость дизайна

В новое поколение NVMe SSD были внесены дополнительные улучшения. Теперь SSD накопители серии 970 EVO емкостью до 2 TБ реализованы в форм-факторе M.2 (2280), что позволяет существенно увеличить объем информации, сохраняемой в накопителе и сэкономить место для других компонентов. Инновационная технология Samsung расширяет ваши возможности по хранению данных и позволяет параллельно повысить эффективность вашей работы.

Исключительная долговечность

Samsung поднял планку промышленного стандарта на долговечность SSD. Воспользуйтесь накопителем с рабочим ресурсом по записи до 1200 TBW при 5-летней ограниченной гарантии на рабочие характеристики. Исключительно высокая надежность SSD серии 970 EVO обеспечивается использованием новейшей V-NAND технологии V-NAND и высочайшим качеством, присущим продукции компании Samsung.

* TBW: Terabytes Written (Терабайт по записи)
*TBW гарантия для 970 EVO Plus: 150 TBW для модели 250 ГБ, 300 TBW для модели 500 ГБ, 600 TBW для модели 1TБ, 1200 TBW для модели 2 TБ
* 5 года или TBW (объем данных в ТБ по записи, в зависимости от того, какой ресурс будет выработан раньше). Дополнительную информацию по гарантии можно найти в инструкции, вложенной в упаковку накопителя.

Непревзойденная надежность

Оцените новый уровень надежности SSD накопителя. Улучшенное никелевое покрытие контроллера, разработанное специалистами Samsung, и используемый теплораспределитель позволили существенно улучшить теплоотвод в накопителе 970 EVO Plus. Функция динамической теплозащиты (Dynamic Thermal Guard) автоматически мониторит и поддерживает оптимальную температуру накопителя, что сводит к минимуму снижение его производительности.

Приложение Samsung Magician

Управление работой накопителя упростилось. Приложение Samsung Magician поможет вам постоянно контролировать состояние вашего накопителя. Набор инструментов с дружественным интерфейсом поможет вам поддерживать работоспособность накопителя и даже увеличить его быстродействие.

Характеристики

Форм-фактор

M.2 (2280)
Вес

Max 8.0 г.
Применение

Клиентские ПК
Размеры (ШxВxГ)

80,15 x 22,15 x 2,38 (мм)

Применение

Клиентские ПК
Производительность

2000 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA) * Фактически используемая емкость может быть меньше (в результате форматирования, использования операционной системой, приложениями и др.)
Форм-фактор

M.2 (2280)
Интерфейс

PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Размеры (ШxВxГ)

80,15 x 22,15 x 2,38 (мм)
Вес

Max 8.0 г.
Основная память

Samsung V-NAND 3-bit MLC
Контроллер

Контроллер Samsung Phoenix
Буферная память

Samsung 2ГБ Low Power DDR4 SDRAM

Поддержка TRIM

Поддерживается
Поддержка S.M.A.R.T

Поддерживается
GC (сборка мусора)

Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора
Поддержка шифрования

AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка WWN

Не поддерживается
Поддержка режима сна

Да

Последовательное чтение

До 3500 MБ/с. *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
Последовательная запись

До 3300 MБ/с. *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
Случайное чтение (4 КБ, QD32)

До 620 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
Случайная запись (4 КБ, QD32)

До 560 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
Случайное чтение (4KB, QD1)

До 19 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
Случайная запись (4KB, QD1)

До 62 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы

Среднее энергопотребление (на системном уровне)

*Средняя потребляемая мощность: 6 Вт. *Макс. значение: 9 Вт. (режим Burst) *Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системы
Энергопотребление в ждущем режиме

Макс. 30 мВт. * Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системы
Напряжение питания

3.3 В ± 5 % Допустимые колебания напряжения
Надежность (MTBF)

1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
Диапазон рабочих температур

0 - 70 ℃, рабочая температура
Устойчивость к ударам

1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)